초록
본 연구에서는 193nm의 ArF excimer laser 광원과 0.65의 NA를 갖는 광학계에서 기본 선폭이 $0.1{\mu}m$이고 duty ratio 가 1:1인 dense line & space(LS) 패턴에 대하여 여러사입사 조명 조건에 따른 초점심도(Depth of Focus; DOF)와 cutoff intensity를 확인하고 기본 capacitor 패턴에서 광학적 근접효과 보정을 위한 hammer head형 보조 패턴의 크기와 여러사입사 조건에 다른 DOF와 cutoff intensity의 변화에 대하여 알아보았다. 그결과 0.1$\mu$m급의 dense 패턴 구현을 위해서는 전형적인 X자형 사구 조명보다는 십자(+)형 사구 조명이나 환형조명이 보다 효과적인 것을 알수 있었다. 이와 더불어 보조 패턴의 크기가 약간 변한다 하더라도 일정한 초점심도와 cutoff intensity를 유지하는 경향을 보이는 특정한 조명 조건이 존재함을 밝히고 그에 따라 최적의 조명 조건과 보조 패턴의 크기에 대하여 알아보았다.
In this paper, we have researched the depth of focus (DOF) and cutoff intensity of the $0.1{\mu}m$rule dense line'||'&'||'space pattern according to the various off-axis illumination (OAl) conditions in the optical system of 0.65 NA using ArF excimer laser (193 nm). We have also studied the variation of the DOF and cutoff intensity according to the sub-resolution pattern (hammer head type) size for optical proximity correction (OPC) applied to the capacitor pattern and the various OAl conditions in the same optical system. As a result, it is revealed that the cross type quadrupole or annular illumination is preferred to the conventional X type quadrupole for printing the $0.1{\mu}m$ rule dense pattern. Also, we can investigate the optimal illumination condition and the size of ope sub-resolution pattern to keep a consistent DGF and cutoff intensity trends.