Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)
- Volume 11 Issue 3
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- Pages.184-184
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- 2001
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
Effect of Neutral Ligand(L) on the Precursor Characteristics of (hfac)Cu(I)L and on Cu MOCVD Process
중성리간드(L)가 (hfac)Cu(I)L 전구체의 특성 및 구리 MOCVD 공정에 미치는 영향
Abstract
The effect of neutral ligand(L) on the precursor characteristics of (hfac)Cu(I)-L and on Cu MOCVD Process was studied. The neutral ligands of (hac)Cu(I)-L
(hfac)Cu(I)L구리 1가 전구체의 경우 L의 종류에 따라 여러 화합물이 존재하며 L이 전구체의 특성 및 증착에 미치는 영향을 규명하였다. 이때 중성리간드는 ATMS(allytrimethylsilane), VTMS(vinyltri-methylsilane), VCH(vinylcyclohexane), MP (4-methyl-1-pentene), ACP(allylcyclopentane), DMB (3,3-dimethyl-1-butene) 등의 alkene류이었다 hfacCu(I)L 전구체는 TG-DSC 분석에서 관찰된 Cu(I)-L 분해 온도가 낮으면