Design of corase flash converter using floating gate MOSFET

부유게이트를 이용한 코어스 플레쉬 변환기 설계

  • 채용웅 (계명대학교 전자공학과) ;
  • 임신일 (서경대학교 컴퓨터공학과) ;
  • 이봉환 (대전대학교 컴퓨터정보통신공학부)
  • Published : 2001.05.01

Abstract

개의 N과 P채널 EEPROM을 이용하여 A/D 변환기를 설계하였다. 프로그래밍 모드에서 EEPROM의 선형적 저장능력을 관찰하기 위해 MOSIS의 1.2㎛ double-poly CMOS 공정을 이용하여 셀이 제작되었다. 그 결과 1.25V와 2V구간에서 10㎷ 미만의 오차 내에서 셀이 선형적으로 프로그램 되는 것을 보았다. 이러한 실험 결과를 이용하여 프로그램 가능한 A/D 변환기의 동작이 Hspice에서 시뮤레이션 되었으며, 그 결과 A/D 변환기가 37㎼의 전력을 소모하고 동작주파수는 333㎒ 정도인 것으로 관찰되었다.

Keywords

References

  1. IEEE Journal of Solid-State Circuits v.34 no.12 A 3.3-V, 10-b, 25-MSample/s two-step ADC in 0.35-mu m CMOS van der Ploeg H;Remmers R
  2. Proceedings of the 24th European Solid-State Circuits Conference A Sub-Binary-Weighted Current Calibration Technique for a 2.5V 100MS/s 8bit ADC M.Mitsuishi;H.Yoshida;M.Sugawara;Y.Kunisaki;S.Nakamura;S.Nakaigawa;H.Suzuki
  3. IEEE J. Solid-State Circuits v.28 no.12 A 10-b 20-Mhz 20-mW Pipelined Interpolating CMOS ADC K.Kusumoto(et al.)
  4. IEEE J. Solid-State Circuits v.30 no.12 A 2 V, 10, 20Msample/s, Mixed-Mode Subranging CMOS A/D Converter M.Yotsuyanagi(et al.)
  5. IEEE J. Solid-State Circuits v.sc-17 no.6 A Precision Variable-Supply CMOS Comparator D.J.Allstot
  6. IEEE J. Solid-State Circuit v.31 no.6 A 2x2 Analog Memory Implemented with a Special Layout Injector Y.Y.Chai(et al.)
  7. IEEE Electron Device Lett. v.12 no.3 A floating-gate MOSFET with tunnelling injector fabricated using a standard double-polysilicon CMOS process A.Thomsen(et al.)
  8. Electronics Letters Floating gate MOSFET with reduced programming voltage Chai,Y.Y.;L.G.Johnson