Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Emitter structure dependence of the high frequency performance of AlGaAs/GaAs HBTs

에미터 구조변화에 따른 AlGaAs/GaAs HBT의 고주파 특성

  • Published : 2000.05.01
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Abstract

Emitter structure effects on the characteristics of AlGaAs/GaAs HBTs have been investigated. Cut-off frequency and maximum oscillation frequency were changed with emitter dimension, and it was attributed to the variation of resistance and junction capacitance with emitter structure. Emitter perimeter and junction area also affected the high frequency performance of HBTs.

AlGaAs/GaAs HBT의 동작특성에 미치는 에미터 구조의 영향을 조사하였다. 에미터의 크기 변화에 의해 차단주파수와 최대공진주파수가 변화하였으며, 이는 에미터 구조에 따라 저항과 접합용량이 변하기 때문이다. 또한 에미터의 주변길이와 접합면적도 HBT의 고주파 특성에 영향을 미치는 것을 알 수 있다.

Keywords

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