정보학연구 (The Journal of Information Technology)
- 제3권3호
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- Pages.57-65
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- 2000
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- 1229-3024(pISSN)
SDRAM 의 AC 변수 테스트를 위한 BIST구현
The Implementation of the Built-In Self-Test for AC Parameter Testing of SDRAM
초록
본 논문에서는 내장된 SDRAM 에 대한 기능 및 AC 변수를 테스트하는 BIST 회로의 알고리듬 및 회로 구현을 기술하였다 제안된 BIST 회로를 사용하여 내장된 SDRAM 의 고장난 비트 셀의 어드레스 위치를 출력시킴으로써 Redundancy 회로 사용에 관한 정좌를 제공하도록 설계하였다. 또 실지 동작 주파수에서의 내장된 SDRAM 의 AC 변수에 대한 테스트를 수행하여 메모리의 오동작이 발생된 경우 어떤 AC 변수가 설계 사양을 벗어나는지를 출력하도록 구현하였다.
We have proposed BIST method and circuit for embedded 16M SDRAM with logic. It can test the AC parameter of embedded 16M SDRAM using the BIST circuit capable of detecting the address of a fail cell of a 16M SDRAM installed in an Merged Memory with Logic(MML) generating the information of repair for redundancy circuit. The function and AC parameter of the embedded memory can also be tested using the proposed BIST method. The total gate of the BIST circuit is approximately 4,500 in the case of synthesizing by
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