The Implementation of the Built-In Self-Test for AC Parameter Testing of SDRAM

SDRAM 의 AC 변수 테스트를 위한 BIST구현

We have proposed BIST method and circuit for embedded 16M SDRAM with logic. It can test the AC parameter of embedded 16M SDRAM using the BIST circuit capable of detecting the address of a fail cell of a 16M SDRAM installed in an Merged Memory with Logic(MML) generating the information of repair for redundancy circuit. The function and AC parameter of the embedded memory can also be tested using the proposed BIST method. The total gate of the BIST circuit is approximately 4,500 in the case of synthesizing by $0.25\mu\textrm{m}$ cell library. and verify the result of Verilog simulation. The test time of each one AC parameter is about 200ms using 2Y-March 14N algorithm.

본 논문에서는 내장된 SDRAM 에 대한 기능 및 AC 변수를 테스트하는 BIST 회로의 알고리듬 및 회로 구현을 기술하였다 제안된 BIST 회로를 사용하여 내장된 SDRAM 의 고장난 비트 셀의 어드레스 위치를 출력시킴으로써 Redundancy 회로 사용에 관한 정좌를 제공하도록 설계하였다. 또 실지 동작 주파수에서의 내장된 SDRAM 의 AC 변수에 대한 테스트를 수행하여 메모리의 오동작이 발생된 경우 어떤 AC 변수가 설계 사양을 벗어나는지를 출력하도록 구현하였다. $0.25\mu\textrm{m}$ 셀 라이브러리를 이용하여 회로 합성하는 경우 전체 게이트 수는 약 4,500 개 정도이고, Verilog 레지스터 전송 언어를 사용하여 설계 및 시뮬레이션을 통하여 검증하였다. 하나의 AC 변수에 대해서 2Y-March 14N 알고리듬으로 테스트하는 경우 100Mhz 동작 주파수에서 테스트 시간은 200ms 정도이다.