초록
증가형 MOS FET에서 강반저의 경우 드레인 전류는 모두 드리프트에 기인하여 흐르기 때문에 I-V모델링시 수직전계와 수평전계를 함께 고려하여야한다. 특히 게이트전압 인가시 발생되는 수직전계는 표면이동도에 영향을 크게 주고 이로 인해서 캐리어들의 정상적인 흐름이 저해되는데 본 논문에서 제안한 다중 box분할법에 의하여 반전층의 깊이를 구하여 이동도 모델에 영향을 크게 미치는 반전층 내에서의 수직전계를 수치해석하였다.
We have to consider the drain current as consisting of two components the vertical electric field and the longitudinal electric field because the drain current is almost totally due to the presence of drift in strong inversion of n-MOS FET. Especially the mobility of electrons in the inversion layer is smaller than the bulk mobility because the vertical electric field component that is generated by the effect of the gate voltage is perpendicular to the direction of normal current flow. By the multi-box segmentation technical method that are proposed in this paper we calculated the inversion layer depth and analyzed the vertical electric field component which has an large influence on mobility model.