LMDS용 Ka 밴드 MMIC 저잡음증폭기의 설계 및 제작

Design and Fabrication of Ka Band MMIC LNA for LMDS LNA

  • 황인갑 (전주대학교 전자매체공학부)
  • 발행 : 2000.07.01

초록

본 연구에서는 Ka 밴드 대역의 LMDS에 사용될 수 잇는 저잡음증폭기를 MMIC로 설계하고 제작하였다. 능동소자로는 p-HEMT를 사용하였으며, 주파수가 높으므로 저주파 MMIC에서 사용되는 수동 소자인 spiral 인덕터나 MIM 커패시터를 사용하지 못하고 마이크로스트립라인을 이용하여 증폭기를 설계하였다. 증폭기 설계 시 안정도를 해결하고 잡음 지수를 낮추기 위하여 RC 궤환회로와 소스 인덕터를 사용하였으며, 제작된 증폭기는 4단 증폭기로 26.5 GHz에서 이득 27.4dB, 잡음지수 3.46 dB를 얻었다.

키워드

참고문헌

  1. ETRI Journal v.18 no.3 Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs High Electron Mobilty Transistors with Super Low Noise Performances of 0.41 dB at 18 GHz J. H. Lee(et al.)
  2. Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design G. Gonzalez
  3. Solid-State Microwave Amplifier Design Tri T. Ha
  4. The Institution of Electrical Engineers MMIC Design I. D. Robertson
  5. Microwave J. Applying the Series Feedback Technique to LNA Design M. T. Murph