Design of 900 MHz CMOS Low Noie Amplifier

900 MHz CMOS 저잡음 증폭기의 설계

  • 윤상영 (전북대학교 정보통신공학과) ;
  • 윤헌일 (전북대학교 정보통신학과) ;
  • 정용채 (전북대학교 전자정보공학부 및 전북대학교 정보통신연구소) ;
  • 정항근 (전북대학교 전자정보공학부 및 전북대학교 정보통신연구소) ;
  • 황인갑 (전주대학교 전자매체공학부)
  • Published : 2000.09.01

Abstract

A 900 MHz low-noise amplifier(LNA) with a measured noise figure of 4.8 dB and an associated gain of 13.2 dB was fabricated in a 0.65 $\mu$m CMOS. The inductive source architecture of offers the possibility of achieving the best noise performance. At 900 MHz, the fabricated LNA dissipates 39 mW from a single 3 V power supply including the bias circuitry and provides -26dB input return loss, -17 dB output return loss, and an input 1-dB compression level of -12 dBm.

본 논문에서는 0.65 $\mu$m CMOS 공정을 이용한 900MHz 대역의 저잡음 증폭기를 설계하였다. 입력 매칭은 전력소모가 가정 적고 NF도 가장 작은 인덕터 종단 정합회로를 사용하였다. 온칩 상에 바이어스 안정화를 포한시켰으며, 전원은 3V를 공급하였을 때 전력 소모는 39mW이다. 설계된 저잡음 증폭기의 특성능 900MHz 대역에서 13.2dB의 이득과 4.8dB의 Noise Figure가 측정이 되었다. 입력 반사손실으 -26dB, 츨력반사 손실은 -17dB을 얻었으며, 입력 1-dB 억압 -12dBm을 얻었다.

Keywords

References

  1. SOVC Dig. Tech Papers A 1.5V 1.5GHz CMOS Low Noise Amplifier P. K. Shaeffer;T. H. Lee
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  5. IEEE Electron Device Letters v.14 no.5 Large Suspended Inductors on Silicon and their use in a 2um CMOS RF Amplifier J. Y. C. Chang;A. A. Abidi;M. Gaitan