Abstract
In this paper, we propose a method that directly converts 3D CAD files for handheld phones designed by a commercial CAD S/W, PATRAN, to FDTD modeling with 1mm resolution. To qualify the accuracy of this method, we compared the calculation of radiation pattern using 3D transient far zone transformation with the measured results by gain comparison method in anechoic chamber and the difference is less than 0.5 dB. The calculation of magnetic field distributions on the front of handheld phones has been done to find a factor contributes to SAR. The result showed up the H-field in the width direction of the phone gives more dominant effect than the field in the length or inside to the front direction.
본 논문에서눈 빠른 모델링과 정확한 계산을 위하여 상용 CAD인 PATRAN을 이용하여 3차원으로 설계한 휴대폰을 1 mm 해상도의 FDTD 모델령으로 직접 변환시키는 방법을 제안하였다. 이 방법의 우수성을 확인하기 위하여 3차원 과도 원거리 영역 변환법으로 계산한 복사패턴과 무반사실에서 이득비교법으로 측정한 결과를 비 교하였을 때 그 차이는 0.5 dB 이내이다. 또한,SAR과 직접적으로 관련한 물리량을 찾기 위해서 휴대폰의 전면 부에 형성되는 자기장을 계산하였다. 그 결과, 휴대폰 내부로부터 전면 방향으로 복사되거나 휴대폰 본체 길이 방향의 자기장 성분보다는 너비방향으로 흐르는 자기장 성분이 전체자기장에 가장 큰 영향을 주었다.
