Journal of the Korean Electrochemical Society (전기화학회지)
- Volume 3 Issue 1
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- Pages.39-43
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- 2000
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- 1229-1935(pISSN)
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- 2288-9000(eISSN)
DOI QR Code
A Study on Characteristics of Light Emitting Diode with Porous Silicon
다공성 실리콘을 이용한 LED의 발광 특성에 관한 연구
- Lee Sung-Hoon (Division of Natural Sciences, Korea University) ;
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Lee Chi-Woo
(Division of Natural Sciences, Korea University)
- Published : 2000.02.01
Abstract
The light emitting diode (LED) was fabricated from n-type porous silicon. We investigated both the current-voltage characteristics of the LED with various electrode materials and changes of electroluminescence with applied current density. Also we probed changes in electroluminescence as a function of operation time at a given current. In order to Improve the contact area between the electrode material and porous silicon layer, we deposited indium on porous silicon layer by electroplating and investigated the electric characteristics of the LED and changes of electroluminescence.
n형 실리콘으로 제조한 다공성 실리콘을 이용하여 Light-emitting diode(LED)를 제작하고, LED를 구성하는데 있어서 전극 물질들을 변화시켰을 때 나타나는 LED의 전류 대 전압의 특성과 공급되어지는 전류의 세기에 따른 전계 발광 (Electroluminescence: EL) 세기의 변화를 관찰하고, 일정 전위에 대한 EL 세기의 시간 의존도를 여러 전위에 대해서 알아보았다. 또한 전극 물질과 다공성 실리콘층(Porous Silicon Layer: PSL)의 접촉 면적을 넓혀주기 위해서 In을 PSL 위에 전기 화학적으로 전착시켰을 때 나타나는 LED의 전기적 특성과 EL의 특성에 대해 알아보았다.