센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)
- 제9권3호
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- Pages.248-255
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- 2000
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
페닝 소스 스퍼터링 장치를 이용한 결정성 질화탄소막의 성장 및 물리적 특성
Growth and Physical Characteristics of Crystalline Carbon Nitride Films Using Penning-type Source Sputerring System
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이성필
(경남대학교 전기전자공학부) ;
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Lee, Sung-Pil
(Div. of Electrical and Electronic Eng., Kyungnam Univ.) ;
- Chowdhury, Shaestagir (Dept. of Materials Science and Eng., The Ohio State Univ.)
- 발행 : 2000.05.31
초록
타겟을 상하 2개 설치한 페닝소스 스퍼터링 장치를 구현하였다. 이 시스템을 이용하여 결정성 질화탄소막을 성장하고 그 물리적 특성을 조사하였다. RBS 측정을 통해 스퍼터링가스 중 Ar의 비율을 감소시키고 질소의 비율을 증가시키면 철의 스퍼터링이 감소되는 것을 알 수 있었다. 성장된 질화탄소막의 결정립 크기는 약
Penning type sputtering system which has two opposed targets was implemented and the physical characteristics of the deposited carbon nitride films were investigated. When argon ratio was reduced and nitrogen ratio was increased in the sputtering gas mixture, Fe was less sputtered. The grain size of grown carbon nitride films was distributed from
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