Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 9 Issue 5
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- Pages.389-395
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- 2000
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Effect of $Al_2O_3$ pre-layers formed using protective Si-oxide layer on the growth of ultra thin ${\gamma}-Al_2O_3$ epitaxial layer
보호용 실리콘 산화막을 이용하여 제조된 $Al_2O_3$ 예비층이 초박막 ${\gamma}-Al_2O_3$ 에피텍시의 성장에 미치는 영향
- Published : 2000.09.30
Abstract
In this paper, we propose the formation of an
본 논문에서는 보호용 실리콘 산화층과 Al 층을 이용한
Keywords