전자공학회논문지T (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T)
- 제36T권2호
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- Pages.8-13
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- 1999
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- 1226-9115(pISSN)
유효 채널길이를 고려한 n형 단채널 MOSFET의 문턱전압 모형화
Threshold Voltage Modeling of an n-type Short Channel MOSFET Using the Effective Channel Length
- Kim, Neung-Yeun (Dong Seoul College, Dept. of Electronics Eng.) ;
- Park, Bong-Im (Hongik Univ., Dept. of Electronics Eng.) ;
- Suh, Chung-Ha (Hongik Univ., Dept. of Electronics Eng.)
- 발행 : 1999.06.01
초록
본 논문은 MOSFET에서 2차원적 전위분포가 채널방향을 따라 준-선형적으로 변한다는 GCA(Gradual Channel Approximation)를 진성영역에서 수직 공핍층 폭이 준-선형적으로 변한다는 가정으로 대치하여 단채널 MOSFET에서도 적용 가능한 문턱전압의 해석적 모형을 제안하였다. 제안된 문턱전압 표현식은 유효 채널길이, 드레인전압, 기판(substrate) 바이어스 전압, 기판 도핑농도, oxide 두께 등에 대한 의존성을 통합적으로 나타내었으며, 계산된 결과는 BSIM3v3의 결과와 유사한 경향을 보이고 있다.
In this paper, an analytical threshold voltage model is proposed by replacing the conventional GCA(Gradual Channel Approximation) with the assumption that a normal depletion layer width in the intrinsic region will vary quasi-linearly according to the channel direction. Derived threshold voltage expression is written as a function of the effective channel length, drain voltage, substrate bias voltage, substrate doping concentration, and the oxide thickness. Calculated results show almost similar trends with BSIM3v3's results in a satisfactory accuracy.
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