Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D (전자공학회논문지D)
- Volume 36D Issue 11
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- Pages.56-62
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- 1999
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- 1226-5845(pISSN)
Effects of the Doping Concentration of the Floating Gate on the Erase Characteristics of the Flash EEPROM's
Flash EEPROM에서 부유게이트의 도핑 농도가 소거 특성에 미치는 영향
- Lee, Jae-Ho (Dept. of Semiconductor engineering Chungbuk National University) ;
- Shin, Bong-Jo (Dept. of Electronic Engineering Chungbuk National University) ;
- Park, Keun-Hyung (School of Electrical Electronics Engineering Chunbuk National University) ;
- Lee, Jae-Bong (School of Electrical Electronics Engineering Chunbuk National University)
- Published : 1999.11.01
Abstract
All the cells on the whole memory array or a block of the memory array in the Flash EEPROM's are erased at the same time using Fowler-Nordheim (FN) tunneling. some of the cels are often overerased since the tunneling is not a self-limited process. In this paper, the optimum doping concentration of the floating gate solve the overerase problem has been studied. For these studies, N-type MOSFETs and MOS capacitors with various doping concentrations of the gate polysilicon have been fabricated and their electrical characteristics have been measured and analyzed. As the results of the experiment, it has been found that the overerase problem can be prevented if the doping concentration of the floating gate is low enough (i.e. below
Flash EEPROM에서 칩 전체나 또는 칩의 한 블록에 속에 있는 모든 셀들의 소거는 Fowler-Nordheim (FN) 터널링 방식을 사용하여 일괄적으로 수행되고 있다. 이러한 FN 터널링에 의한 소거는 self-limited 공정이 아니기 때문에 일부의 셀들이 심하게 과소거되는 문제가 자주 발생하고 있다. 본 논문에서는 이러한 과소거 문제를 해결하기 위한 부유게이트의 최적 도핑 농도에 관하여 연구하였다. 이러한 연구를 위하여 다양한 도핑 농도를 갖는 n-type MOSFET과 MOS 커패시터를 제작하였고, 이 소자들의 전기적인 특성들을 측정 및 분석하였다. 실험 결과, 부유게이트의 도핑 농도가 충분히 낮다면 (
Keywords