Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D (전자공학회논문지D)
- Volume 36D Issue 6
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- Pages.44-51
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- 1999
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- 1226-5845(pISSN)
Electrical Conduction Mechanism of (Ba, Sr) $TiO_3$ Thin Film Capacitor in Low Electric Field Region
고유전 (Ba, Sr) $TiO_3$ 박막 커패시터의 저전계 영역에서의 전기전도기구
- Jang, Hoon (Dept. of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) ;
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Jang, Byung-Tak
(Dept. of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) ;
- Cha, Seon-Yong (Dept. of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) ;
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Lee, Hee-Chul
(Dept. of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology)
- 장훈 (韓國科學技術院 電氣 및 電子工學科) ;
-
장병탁
(韓國科學技術院 電氣 및 電子工學科) ;
- 차선용 (韓國科學技術院 電氣 및 電子工學科) ;
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이희철
(韓國科學技術院 電氣 및 電子工學科)
- Published : 1999.06.01
Abstract
The electrical conduction mechanism of high dielectric
High density DRAM의 cell capacitor로 촉망 받고 있는 고유전체 BST박막 커패시터의 저 전계(<0.2MV/cm) 영역에서의 전기전도 현상을 분석하였다. 저 전계 영역에서 Pt/BST/Pt구조의 MIM 커패시터에 일정 전계를 인가한 후 전류를 측정하는 I(t)방법을 이용하여 유전완화전류와 누설전류를 분리해내어 박막의 측정온도 변화, 전계의 크기, 인가방향 변화, 후속 열처리에 따른 BST 박막의 전기전도 기구를 분석하였다. 그 결과, 유전완화전류는 Hoppiong process에 의한 BST박막내부의 trap된 전자들의 이동에 의한 전하재배치로 설명되어지며, 누설전류도 박막내의 trap에 의한 poole-Frenkel process에 의한 것임을 알 수 있었다. 그리고 각 전류성분에 기억하고 있는 trap이 BST박막내의 산호 결핍임을 추정하였다.
Keywords