Erasing Methods for Improved Endurance Characteristics in Single-Poly EEPROM

단층 다결정실리콘 EEPROM의 Endurance 특성 개선을 위한 소거방법

In this work, single-poly EEPROM was designed and fabricated by using standard $0.8{\mu}m$ CMOS process. From the results of programming and erasing characteristics, it was found that the programming time was smaller than 10ms and the erasing time was about 100ms. To reduce the erasing time, several erasing methods were performed. The S/D erasing method was used to improve the endurance characteristics which was degraded due to electron trapping in programming and erasing cycles. By using the S/D erasing method, the more improved endurance characteristics then conventional one was obtained.

$0.8{\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 단층 다결정 실리콘 EEPROM을 설계$0{\cdot}$제작하였다. 프로그램 및 소거특성을 분석한 결과 프로그램 시간은 약 10 ms이하였으나 소거시간이 약 100 ms로 큰 것을 알 수 있었다. 소거시간을 개선하기 위하여 여러 가지의 소거방식을 사용하였다. 그리고 프로그램과 소거시 산호막에 포획된 전자로 인하여 endurance 특성이 나빠지는 것을 개선하기 위하여 소스/드레인 두단자를 통한 소거방법을 이용하였다. 그 결과 단층 다결정 실리콘 EEPROM의 endurance 특성이 기존보다 훨씬 개선된 것을 알 수 있다.