SOI 소자에서의 바디 전압 안정화를 위한 실리콘 필름 Island 구조

Stabilization of Body Bias Control in SOI Devices by Adopting Si Film Island

SOI MOSFET에서 바디 전압을 안정시키기 위하여 바디 저항과 콘택 소모면적을 줄이면서도 SOI 고유의 장점을 그대로 유지시키는 IBC(Island Body Contact) 구조를 창안하였다. 이 구조는 여러 MOSFEET 들의 바디를 서로 연결하여 같이 콘택을 형성함으로써 면적의 증가 없이 훌륭한 바디 콘택효과를 갖게 된다. VLSI 소자로서의 그 가능성을 소자 시뮬레이션과 제작된 소자와 회로의 측정실험을 통하여 확인하였다.

A new IBC(Island Body Contact) structure is introduced to SOI CMOS VLSI for stabilizing the body potential of the MOSFET without the additional area consumption. The improvement of the body contact effect is achieved by reducing the body resistance and the area is saved as the bodies of the MOSFETs are connected together. Its property as VLSI device is confirmed through the device simulations and the measurement.