한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)
- 제3권3호
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- Pages.681-686
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- 1999
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- 2234-4772(pISSN)
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- 2288-4165(eISSN)
편광 비의존성 GaInAs/GaInAsP/InP 반도체 광 증폭기 구조에 관한 연구
A Study on the Structure of Polarization Independent GaInAs/GaInAsP/InP Semiconductor Optical Amplifier
- 박윤호 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
- 강병권 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
- 이석 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
- 조용상 (연세대학교 전자공학과) ;
- 김정호 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
- 황상구 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
- 홍창희 (한국해양대학교 전자통신공학과)
- Park, Yoon-Ho ;
- Kang, Byung-Kwon ;
- Lee, Seok ;
- Cho, Yong-Sang ;
- Kim, Jeong-Ho ;
- Hwang, Sang-Ku ;
- Hong, Tchang-Hee
- 발행 : 1999.09.01
초록
본 논문에서는 편광 비의존 특성을 가지는 반도체 광 증폭기 개발을 위해 지금까지와는 다른 새로운 방법인 160(
In this study, the gain characteristics of the strained structures for SOA were calculated numerically and the optimized strained quantum well for the polarization-insensitive SOA was obtained. The structures used in this calculation were consisted of one, two, and three GaAs Delta layers respectively in the GaInAs(160
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