전자공학회논문지T (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T)
- 제36T권3호
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- Pages.13-18
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- 1999
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- 1226-9115(pISSN)
고주파 플라즈마 CVD에 의한 $\textrm{H}_2$ -$\textrm{CH}_4$ 계로부터 다이아몬드 박막의 합성
Synthesis of Diamond Thin Film by RF PACVD from $\textrm{H}_2$ -$\textrm{CH}_4$ Mixed Gas
초록
다이아몬드 박막은 RF PACVD법에 의해 수소와 메탄으로부터 실리콘 웨이퍼 상에 성장되어졌다. 박막 성장 전에 표면의 핵생성 밀도를 증가시키기 위하여 1㎛의 다이아몬드 페이스트로 기계적 흡집을 내어 사용하였다. 메탄 농도를 변화시켜 제작한 박막에 대한 평가는 XRD, SEM 및 Raman Spectroscopy에 의해 이루어졌다. 성장된 박막의 결정성은 메탄 농도가 낮을수록 증가되었다.
Diamond film was deposited on Si wafer using
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