Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D (전자공학회논문지D)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

An Analytic Model for Punchthrough Limited Breakdown Voltage of Cylindrical Junctions

Punchthrough 원통형 접합이 항복전압에 대한 해석적 모델

  • 배동건 (정회원, 거제대학 전자과) ;
  • 정상구 (정회원, 동아대학교 전자공학과)
  • Published : 1999.04.01
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Abstract

Analytic model for punchthrough limited breakdown voltage of cylindrical junction is presented as a function of the epitaxial layer thickness and the critical depletion width of the cylindrical junction in nonpunchthrough cases. All the expressions for the distances, electric fields and potentials are normalized, allowing quick determination of the corresponding breakdown voltages. The calculated results are in good agreement with the simulations obtained from two dimensional device simulation program MEDICI.

Punchthroush 원통형 접합의 항복전압에 대한 해석적 모델을 에피층의 두께와 nonpunchthrough 원통형 접합의 항복시 임계공핍영역폭이 함수로 제안하였다. 이 해석적 모델에서의 모든 거리변수와 전계 및 전위식을 정규화된 형태로 사용하므로써 항복전압을 소자의 물리적 parameter에 관계없이 쉽게 결정할 수 있게 하였다. 제안된 모델의 계산결과를 2차원 소자 Simulation Program인 MEDICI를 사용하여 얻은 결과와 비교하여 매우 잘 일치함을 보였다.

Keywords