Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)
- Volume 12 Issue 8
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- Pages.10-17
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- 1999
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
초고주파 고출력 Gallium Nitride 전자소자의 기술동향 및 발전방향
Abstract
본 논문에서는 최근 초고주파영역에서 우수한 고출력 특성을 갖는 것으로 알려진 AlGaN-GaN high-electron mobility transistor(HEMT's)의 최근 기술동향과 함께 응용가능성 및 한계에 대하여 검토하였다. GaN는 약 3.4eV 정도의 큰 밴드갭을 갖는 까닭에 200V 이상의 높은 항복전압을 갖는다. 또한 AlGaN와 이종접합을 형성하는 경우 piezoelectric field에 의하여 1
Keywords