Abstract
The theoretical modeling of free carrier absorption in quantum wells grown on anisotropic materials is presented for the first time. The intersubband and intrasubband free carrier absorption are distinguished and the contribution of each subband to them is calculated separately. The calculated results are compared with the experimental values of $\delta$-doped Si quantum wells in literature.
비등상성 반도체 양자우물에서의 자유전자 흡수에 의한 광자의 흡수계수를 모델링하였다. Intravalley scattering과 interalley scattering에 의한 자유전자 흡수가 모두 고려되었고 양자우물내의 각각의 부밴드가 광자의 흡수에 기여하는 정도도 따로 계산되었다. 또한 이 모델의 타당성을 검증하기 위해, Si에 $\delta$-도핑을 이용하여 형성한 얀자우물에 대하여 시물레이션을 수행하고 문헌의 실현결과와 비교하여 그 적절성을 보였다.