쵸크랄스키법에 의한 $Bi_4Ge_3O_{12}$ 단결정 육성 및 화학조성이 광학적 성질에 미치는 영향

$Bi_4Ge_3O_{12}$ Crystal Growth by Czochralski Method and the Effect of Composition on Optical Properties

  • 배인국 (한국자원연구소 지질연구부) ;
  • 황진명 (인하대학교 무기재료공학과)
  • 발행 : 1999.06.01

초록

주파수 무선센서에 의한 자동직경제어방식으로 쵸크랄스키법에 의해 Bi4Ge3O12 단결정을 육성하였다. Bi4Ge3O12의 화학양론적 조성으로부터 Bi2O3와 GeO2의 조성비를 변화시키면서 단결정을 육성하였다. 광학적인 투과도 조사결과, 화학양론적 조성에서 가장 우수한 투과도를 나타내었고 과잉의 Bi2O3에서는 투과도가 현저히 낮아졌다. 또한 육성된 단결정의 결함밀도는 ∼1×103/cm2이었다.

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