Abstract
This paper deals with an active gate drive (AGD) technolo밍T for high power IGBTs. It is based on an optimal c combination of several requirements necessmy for good switching performance under hard switching conditions, The s scheme specifically combines together the slow drive requirements for low noise and switching stress and the fast driver requirements for high speed switching and low switching energy loss The gate drive can also effectively dampen oscillations during low cunent turnlongrightarrowon transient in the IGBT, This paper looks at the conflicting requirements of the c conventional gate dlive circuit design and the experimental results show that the proposed threelongleftarrowstage active gate dlive t technique can be an effective solution.
대용량 IGBT를 위한 새로운 능동 게이트 구동회로를 제안한다. IGBT의 우수한 스위칭 성능을 성취하기 위해 필요한 여러 구동 조건들을 최적으로 조합시킨 게이트 구동 회로이다. 스위칭 노이즈와 스트레스를 감소시키기 위해 필요한 느린 구동 조건과 스위칭 속도를 증가시키고 손실을 저감시키기 위해 요구되는 고속 구동 조건들을 동시에 만족시키고 있다. 또한 작은 전류의 턴-온시 발생되는 진동현상을 효과적으로 감쇠시킬 수 있는 특성을 지니고 있다.