열처리된 ZnO:Al 투명도전막의 전기적 및 광학적 특성

Electrical and Optical Properties of Heat Treated ZnO:Al Transparent Conductive Films

  • 유권규 (경상대학교 전자재료공학과 및 정보통신연구센터) ;
  • 김정규 (경상대학교 전자재료공학과 및 정보통신연구센터) ;
  • 박기철 (경상대학교 전자재료공학과 및 정보통신연구센터)
  • You, Gyeon-Gue (Dept. of Electronic Materials Eng., and Information and Communication Research Center, Gyeongsang National University) ;
  • Kim, Jeong-Gyoo (Dept. of Electronic Materials Eng., and Information and Communication Research Center, Gyeongsang National University) ;
  • Park, Ki-Cheol (Dept. of Electronic Materials Eng., and Information and Communication Research Center, Gyeongsang National University)
  • 발행 : 1999.03.31

초록

고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 순수한 ZnO 박막 및 Al이 포핑된 ZnO(AZO) 박막의 열처리온도 및 열처리분위기에 따른 전기적 및 광학적 특성을 4점 측정법 및 Hall 효과 측정법을 통한 비저항의 측정과 광투과도의 측정을 통하여 조사하였다. 대기중에서 열처리된 ZnO 박막 및 ZnO:Al 박막은 각각 $200^{\circ}C$$300^{\circ}C$에서 비저항이 현저하게 증가하였으며 수소 플라즈마 분위기에서 열처리된 ZnO 박막은 $500^{\circ}C$의 열처리온도에서 약 1승 정도 비저항이 증가하였으나 ZnO:Al 박막은 열처리온도에 무관하게 비저항이 거의 일정하였다. 550 nm 에서 측정된 광투과도는 90% 정도로 시편의 불순물도핑, 열처리온도 및 열처리분위기에 무관하게 일정한 것으로 나타났다.

The heat treatment effects of the undoped ZnO and Al doped ZnO(AZO) transparent conductive films prepared by rf magnetron sputtering were investigated. The variations of the electrical and optical properties with heat treatment temperature and ambient were studied. The resistivity of the un doped ZnO films heat treated in air and $H_z$ plasma for 1 hour increased rapidly above $200^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$, respectively. And that of the ZnO:Al films heat treated in air also increased rapidly above $300^{\circ}C$. On the other hand that of the ZnO:Al films heat treated in $H_z$ plasma was constant regardless of heat treatment temperature. The optical transmittance above 550nm is about 90% for all thin films regardless of impurity doping, the heat treatment temperature and ambient.

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