Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)

The Korean Sensors Society (한국센서학회)
권호 표지

Hydrogen Gas Sensing Characteristics of Pd-SiC Schottky Diode

Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감응 특성

  • Kim, Chang-Kyo (School of Electrical and Electronic Eng., Soonchunhyang Univ.) ;
  • Lee, Joo-Hun (School of Electrical and Electronic Eng., Soonchunhyang Univ.) ;
  • Lee, Young-Hwan (School of Electrical and Electronic Eng., Soonchunhyang Univ.) ;
  • Choi, Suk-Min (School of Electrical and Electronic Eng., Soonchunhyang Univ.) ;
  • Cho, Nam-Ihn (Dept. of Electronic Eng., Sun Moon University)
  • 김창교 (순천향대학교 전기전자공학부) ;
  • 이주헌 (순천향대학교 전기전자공학부) ;
  • 이영환 (순천향대학교 전기전자공학부) ;
  • 최석민 (순천향대학교 전기전자공학부) ;
  • 조남인 (선문대학교 전자공학과)
  • Published : 1999.11.30
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Abstract

A Pd-SiC Schottky diode for detection of hydrogen gas operating at high temperature was explored. Hydrogen-sensing behaviors of Pd-SiC Schottky diode were analyzed as a function of hydrogen concentration and temperature by I-V and ${\Delta}I$-t methods under steady-state and transient conditions. The effect of hydrogen adsorption on the barrier height was investigated. Analysis of the steady-state kinetics using I-V method confirmed that the atomistic hydrogen adsorption process is responsible for the barrier height change in the diode.

Pd-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 수소 가스 센서를 개발하였다. Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감지특성을 I-V 및 ${\Delta}I$-t 분석을 통하여 수소 농도와 온도 함수로서 분석하였다. 또한, 수소 흡착에 의한 Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 장벽 높이의 변화를 조사하였다. 수소 원자의 흡착이 다이오드의 장벽 높이의 변화와 관계되는 것을 I-V 분석을 이용하여 정상 상태에서의 가스 반응 속도론에 의하여 확인하였다.

Keywords