Performance of Differential Field Effect Transistors with Porous Gate Metal for Humidity Sensors

Differential field effect transistors with double gate metal for integrated humidity sensors have been fabricated and the drain current drift characteristics to relative humidity have been investigated. The aspect ratio was 250/50 for both transistors to get the current difference between the sensing device and non-sensing one. The normalized drain current of the fabricated humidity sensitive field effect transistors increases from 0.12 to 0.3, as relative humidity increases from 30% to 90%.

집적형 습도센서를 위해 이중게이트 금속을 증착한 차동형 전계효과 트랜지스터를 제조하고 상대습도에 따른 드레인전류 드리프트특성을 조사하였다. 감지소자와 비감지소자의 전류차를 얻기 위해 두 트랜지스터의 종횡비는 250/50으로 같게 하였다. 제조된 습도감지 전계효과 트랜지스터의 표준화된 드레인전류는 상대습도가 30%에서 90%로 증가함에 따라 0.12에서 0.3으로 증가하였다.