한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)
- 제2권3호
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- Pages.431-437
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- 1998
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- 2234-4772(pISSN)
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- 2288-4165(eISSN)
재산화 질화 산화막의 전하 생성과 항복에 대한 시간 의존성
Time Dependence of Charge Generation and Breakdown of Re-oxidized Nitrided Oxide
초록
본 논문에서는, ULSI에서 기존의 실리콘 절연막을 대체할 것으로 여겨지는 질화 산화막(NO)과 재산화 질화 산화막(ONO)의 전기적 특성을 조사하였다. 특히, 질화 및 재산화 시간에 따른 NO와 ONO막의 전류전압 특성, 게이트 전압이동, 시간종속 절연항복 특성(TDDB) 변화를 측정하였고, 외부 온도 변화에 따른 최적화 된NO와 ONO막의 누설 전류와 절연체가 항복에 이르게 하는 전하량(Q
In this paper, we have investigated the electrical properties of ultra-thin nitrided oxide(NO) and re-oxidized nitrided oxide(ONO) films that are considered to be promising candidates for replacing conventional silicon dioxide film in ULSI level integration. Especially, we have studied a variation of I-V characteristics, gate voltage shift, and time-dependent dielectric breakdown(TDDB) of thin layer NO and ONO film depending on nitridation and reoxidation time, respectively, and measured a variation of leakage current and charge-to-breakdown(Q
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