A High Speed and Low Power SOI Inverter using Active Body-Bias

활성 바디 바이어스를 이용한 고속, 저전력 SOI 인버터

We propose a new high speed and low power SOI inverter with dynamic threshold voltage that can operate with efficient body-bias control and free supply voltage. The performance of the proposed circuit is evaluated by both the BSIM3SOI circuit simulator and the ATLAS device simulator, and then compared with other reported SOI circuits. The proposed circuit is shown to have excellent characteristics. At the supply voltage of 1.5V, the proposed circuit operates 27% faster than the conventional SOI circuit with the same power dissipation.

효율적인 바디 바이어스와 자유로운 공급 전압(supply voltage)으로 동작할 수 있는 동적 문턱 전압(dynamic threshold voltage)제어를 이용한 고속, 저전력 SOI 인버터를 새로이 제안하였다. 제안된 회로의 특성을 BSIM3SOI 회로 시뮬레이터와 ATLAS 소자 시뮬레이터를 이용해 검증하였고 다른 SOI 회로와 비교함으로써 제안한 회로가 우수한 성능을 가짐을 보였다. 제안된 회로는 1.5V의 공급 전압에서 같은 전력 소모를 갖는 기존의 SOI 회로보다 27% 빠르게 동작하였다.