Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D (전자공학회논문지D)
- Volume 35D Issue 11
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- Pages.70-77
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- 1998
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- 1226-5845(pISSN)
Fabrications and Characterization of High Temperature, High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes
고온, 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구
- Lee, Ho-Seung (Department of Physics, Dongguk University) ;
- Lee, Sang-Wuk (Department of Physics, Dongguk University) ;
- Shin, Dong-Hyuk (Department of Physics, Dongguk University) ;
- Park, Hyun-Chang (Department of Electronic Engineering, Dongguk University) ;
- Jung, Woong (Department of Semiconductor Sciences, Dongguk University)
- Published : 1998.11.01
Abstract
Ni/SiC Schottky diodes have been fabricated using epitaxial 4H-SiC and 6H-SiC wafers. The epitaxial n-type layers were grown on
본 논문에서는 nickel/silicon carbide(Ni/SiC) 접합에 의한 Schottky 다이오드를 제작하고, 그 전기적 특성을 조사하였다. Ni/4H-SiC의 경우, 산화막 모서리 단락을 하였을 때 상온에서 973V의 역방향 항복전압이 측정되었으며 이는 모서리 단락되지 않은 Schottky 다이오드의 역방향 항복전압 430V에 비해 매우 높았다. Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우, 산화막으로 모서리 단락시켰을 때와 시키지 않았을 때의 역방향 항복전압은 각각, 920V와 160V 였다. 고온에서의 소자 특성도 매우 좋아서 Ni/4H-SiC Schottky 다이오드와 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 300℃까지 전류 특성의 변화가 거의 없었으며 550℃에서도 양호한 정류 특성을 보였다. 상온에서의 Schottky barrier height와 이상인자(ideality factor) 및 specific on-resistance는 Ni/4H-SiC의 경우는 1.55eV, 1.3, 3.6×10/sup -2/Ω·㎠이었으며 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우에 1.24eV, 1.2, 2.6×10/sup -2Ω·㎠/로 나타났다. 실험 결과 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 고온, 고전압 소자로서 우수한 특성을 나타냄이 입증되었다.
Keywords