초록
스페이서 표면 파티클에 의한 오염의 영향은 SF6GIS의 절연내력을 현저히 감소시킨다. 이와 관련해서 우리는 평행평판전극 구성으로 SF6가스중에서 금속 및 비금속 파티클의 위치 및 형태를 변화시키면서 교류전압에서 섬락전압 특성과 파괴 기구에 대해서 연구했다. 주된 결과는 $\circled1$파티클 위치에 대한 섬락전압 감소의 영향은 갭중간에서 가장 적고 전극에서 미소간극 분리된 경우의 영향이 가장 커다. $\circled2$ 섬락전압 감소가 크게 되는 금속 파티클 일수록 FOV 포화 현상은 낮은 압력 영역으로 이동된다. $\circled3$0.6[mm]이하의 비금속 파타클은 섬락전압에 그의 영향을 미치지 않는다.
The influence due to particle contaminated on spacer surface is remarkable in the decreasing of dielectric strength in SF6 GIS. In relation with this problem, We studied, AC flash-over voltage characteristics and breakdown mechanism are investigated under metallic and insulating particle initiated condition in SF6 gas by varying the particle position, particle shape with a plane-plane electrode. The main results are as follows $\circled1$ Influence of the flash-over voltage decrease for particle position is lowest in mid gap and is highest in separated small gap on electrode. $\circled2$ The metallic particle shape which results in the more reduced flash-over voltage, the FOV saturation moved in to the region of low pressure. $\circled3$Insulating particle less than 0.6[mm] are not almost influenced by the flash-over Voltage.oltage.