Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Interfacial Raction of Co/Hf Bilayer Deposited on $\textrm{SiO}_2$

$\textrm{SiO}_2$기판 위에 증착된 Co/Hf 이중층의 계면반응

  • Gwon, Yeong-Jae (Dept.of Metallurgical Engineering, Inha University) ;
  • Lee, Jong-Mu (Dept.of Metallurgical Engineering, Inha University) ;
  • Bae, Dae-Rok (Dept.of Metallurgical Engineering, Inha University) ;
  • Gang, Ho-Gyu (Dept.of Metallurgical Engineering, Inha University)
  • 권영재 (인하대학교 금속공학과) ;
  • 이종무 (인하대학교 금속공학과) ;
  • 배대록 (삼성전자 반도체연구소 LS공정개발) ;
  • 강호규 (삼성전자 반도체연구소 LS공정개발)
  • Published : 1998.09.01
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Abstract

self-aligned silicide(salicide)제조시 CoSi2의 에피텍셜 성장을 돕기 위하여 Co와 Si 사이에 내열금속층을 넣은 Co/내열금속/Si의 실리사이드화가 관심을 끌고 있다. Hf 역시 Ti와 마찬가지로 이러한 용도로 사용될 수 있다. 한편, Co/Hf 이중층 salicide 트랜지스터가 성공적으로 만들어지기 위해서는 spacer oxide 위에 증착된 Co/Hf 이중층이 열적으로 안정해야 한다. 이러한 배경에서 본 연구에서는 SiO2기판 위에 증착한 Co 단일층과 Co/Hf 이중층을 급속열처리할 때 Co와 SiO2간의 계면과 Co/Hf와 SiO2간의 계면에서의 상호반응에 대하여 조사하였다. Co 단일층과 Co/Hf 이중층은 각각 $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 열처리한 후 면저항이 급격하게 증가하기 시작하였는데, 이것은 Co층이 SiO2와의 계면에너지를 줄이기 위하여 응집되기 때문이다. 이 때 Co/Hf의 경우 열처리후 Hf에 의하여 SiO2 기판이 일부 분해됨으로써 Hf 산화물이 형성되었으나, 전도성이 있는 HfSix 등의 화합물은 발견되지 않았다.

Keywords

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