초록
Poly-Si 활성층이 도핑되지 않은 도는 BF2 이온주입으로 도핑된 poly-Si/SiO2 박막에 존재하는 결함을 효과적으로 감소시키기 위하여 저온 rf 수소플라즈마 처리를 수행하였고, 결합의 변화를 전자상자성공명을 이용하여 조사하엿다. 활성층이 도핑되지 않은 시편과 도핑된 시편에서 모두 관측되었던 Pb center와 E' center가 30분의 수소화처리 결과, Pb center의 경우에 각각 80%(도핑되지 않은 시편)와 76% (되핑된 시편)의 큰 결함 감소효과를 얻었으며 E center는 제거되어 관측되지 않았다. 90분의 처리공정에서는 두 시편에서 모두 감소되었던 Pbcenter의 밀도가 다시 증가하였으며, 제거되었던 E' center가 재생되엇다. 특히 도핑된 시편에서의 Pbcenter의 밀도증가가 더욱 민감하게 나타났다.
In order to reduce to the defect density in poly-Si/SiO$_2$ thin films, where poly-Si is either undoped or doped by BF$_2$ implantation, the poly-Si/SiO$_2$ samples have been hydrogenated by rf plasmas of low temperature. Before hydrogenation, both $P_b$ centers and E centers were observed in the poly-Si(undoped)/SiO$_2$ and in the poly-Si(doped)/SiO$_2$. After 30 min hydrogenation, the $P_b$ center was reduced by 80 % doped sample and by 76 % in the undoped sample and the E center was not observed. After 90min hydrogenation, however, increases of the $P_b$ centers and regenerations of the E center were observed in the undoped sample as well as in the doped one. Compared with the undoped sample, the increase of $P_b$ center in the doped one was more dominant.
