마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)

  • 제5권1호
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  • Pages.63-72
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  • 1998
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  • 1226-9360(pISSN)
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  • 2287-7525(eISSN)
한국마이크로전자및패키징학회 (The Korean Microelectronics and Packaging Society)
권호 표지

강유전성 후막 PTC 서미스터의 제조 및물성

Manufacture and properties of Thick Film Ferroelectric PTC Thermistor

  • 구본급 (대전산업대학교 재료공학과)
  • 발행 : 1998.06.01

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초록

후막 PTC를 제조하기 위하여 BaTiO3 주원료에 Sb2O3와 MnO2를 첨가한 PTC 페이 스트를 ZrO2와 BaTiO3 기판위에 인쇄한후 13$25^{\circ}C$에서 1시간 동안 소결하였다. BaTiO3 기판 위에 형성된 PTC후막은 PTCR 특성을 나타내었다. 그러나 ZrO2기판위에 인쇄된 시편의 경 우 PTCR특성이 나타나지 않았다. 이것은 ZrO2기판과 인쇄된 PTC페이스트간의 열팽창계수 차이에 의한 thermal cracking 때문에 후막 PTC 형성이 불가능함을 보여주었다.

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