Journal of the Microelectronics and Packaging Society (마이크로전자및패키징학회지)
- Volume 5 Issue 1
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- Pages.45-54
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- 1998
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Role of growth Conditions of Hot Wall
Hot Wall Epitaxy의 성장조건이 ZnSe/GaAs 이종접합구조의 구조적, 광학적 특성에 미치는 영향
Abstract
본 연구에서는 열벽성장법에 의해 ZnSe 에피막을 GaAs 기판에 성장하고 double crystal x-ray diffractometer와 Photoluminescence (PL) 등의 장치를 이용하여 구조족, 광학 적 특성을 연구하였다. x-선 반치폭과 PL피크강도로부터 최적의 기판온도가 34
Keywords