Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology (한국결정성장학회지)

The Korea Association of Crystal Growth (한국결정성장학회)
권호 표지

Gas phase temperature profile measurement of an upflow OMVPE reactor by laser Raman spectroscopy

레이저 라만 분광법을 이용한 도립형 OMVPE 반응기의 기상 온도 분포 측정

  • ;
  • Timothy J. Anderson
  • 박진호 (영남대학교 화학공학 및 공업화학부) ;
  • Published : 1998.06.01
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Abstract

An inverted, stagnation point flow OMVPE reactor was studied by laser Raman spectroscopy. Pure rotational Raman scattering by the carrier gas $(N_2; or; H_2)$ was used to determine the axial centerline temperature profile in the reactor as a function of the inlet flow velocity and the rector aspect ratio. A larger temperature gradient normal to the susceptor surface was obtained with higher gas glow velocity, larger aspect ratio, and the use of a $N_2$ carrier gas.

도립형 OMVPE 반응기를 레이저 라만 분광법을 사용하여 조사하였다. 운반기체인 질소나 수소의 순수한 회전 라만 분산 스펙트럼을 통해 반응기 내부의 축 중심 방향의 온도 분포를 정확히 측정할 수 있었다. 주입 기체의 유속과 반응기의 종횡비가 변수로 변화되었으며 실험결과, 기판 표면 근처의 수직방향 온도 구배를 크게 유지하기 위해서는 보다 빠른 기체 유속의 사용, 보다 큰 반응기 종횡비의 사용, 그리고 질소의 사용이 유리함을 알 수 있었다.

Keywords

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