Modeling of plasma etching and development of three-dimensional topography simulator

플라즈마 식각 모델링 및 3차원 토포그래피 시뮬레이터 개발

  • 권오섭 (인하대학교 전자전기컴퓨터공학부 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 이제희 (인하대학교 전자전기컴퓨터공학부 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 윤상호 (인하대학교 전자전기컴퓨터공학부 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 반용찬 (인하대학교 전자전기컴퓨터공학부 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 김연태 (인하대학교 전자전기컴퓨터공학부 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 원태영 (인하대학교 전자전기컴퓨터공학부 반도체 및 박막기술연구소)
  • Published : 1998.02.01

Abstract

In this paper, we report the result of the three-dimensional topography simultor, 3D-SURFILER(SURface proFILER) for the simulation of topographical evalution of the surface, curing a plasma etching process. We employed cell-removal algorithm to represent the topographical evoluation of the surface. The visibility with shadow effect was developed and applied to the spillover algorithm. To demonstrate the capability of 3D-SURFILER, we compared with simulated profiles with the SEM picture for dry and reactive ion etching(RIE) of the Si$_{3}$N$_{4}$ film and Pt film.

Keywords