센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)
- 제7권1호
- /
- Pages.73-82
- /
- 1998
- /
- 1225-5475(pISSN)
- /
- 2093-7563(eISSN)
무수 불화수소와 메탄올의 기상식각에 의한 실리콘 표면 미세 가공
Silicon Surface Micro-machining by Anhydrous HF Gas-phase Etching with Methanol
-
장원익
(한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
-
최창억
(한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 이창승 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
-
홍윤식
(한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 이종현 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 백종태 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 김보우 (한국전자통신연구원 반도체연구단)
-
Jang, W.I.
(Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
-
Choi, C.A.
(Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Lee, C.S. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
-
Hong, Y.S.
(Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Lee, J.H. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Baek, J.T. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Kim, B.W. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute)
- 발행 : 1998.01.31
초록
실리콘 표면 미세가공에 있어서, 새로 개발된 HF 기상식각 공정은 미소구조체들을 띄우는데 매우 효과적임을 입증하였다. 무수 불화수소와 메탄올을 이용한 기상식각 시스템에 대한 기능 및 특성을 기술하였고, 실리콘 미세구조체룰 띄우기 위한 회생층 산화막들의 선택적 식각특성이 고찰되었다. 구조체층으로는 인이 주입된 다결정실리콘이나 SOI 기판의 단결정실리콘을 사용하였다. 회생층으로는 TEOS 산화막, 열산화막, 저온산화막을 사용하였다. 기존 습식식각과 비교해 볼 때, 공정에 기인된 고착현강이나 잔류물질이 없는 미세구조체를 성공적으로 제작하였다.
In silicon surface micro-machining, the newly developed GPE(gas-phase etching) process was verified as a very effective method for the release of highly compliant micro-structures. The developed GPE system with anhydrous HF gas and
키워드