Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 7 Issue 1
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- Pages.1-8
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- 1998
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Fabrication and Characteristics of the MAGFET
MAGFET의 제작 및 특성
- Kim, Si-Hon (Dept. of OA, Yeungjin Junior Col.) ;
- Lee, Cheol-Woo (Semiconductor R&D Center, KEC) ;
- Lee, Jung-Hwan (Semiconductor R&D Center, KEC) ;
- Nam, Tae-Chul (School of Elec. & Electron. Eng., Yeungnam Univ.)
- 김시헌 (영진전문대학 사무자동화과) ;
- 이철우 (한국전자주식회사 종합연구소 반도체연구센터) ;
- 이정환 (한국전자주식회사 종합연구소 반도체연구센터) ;
- 남태철 (영남대학교 전기전자공학부)
- Published : 1998.01.31
Abstract
We have simulated the operating characteristics of the magnetotransistor(MAGFET) by the finite element method and suggested the optimum design conditions to get a maximum sensitivity, The magnetotransistor has been fabricated by CMOS standard processing according to the suggested design conditions and investigated its electromagnetic characteristics. The sensitivity of the magnetotransistor depends on the ratio of width(W) to length(L) of active area rather than its size, and has a maximum when W/L = 1. The relative sensitivity of a fabricated magnetotransistor was 2.53 %/T.
유한 요소법에 의한 수치 해석을 통하여 자기 트랜지스터(MAGFET)의 동작 특성을 분석하고, 소자의 최대감도를 얻기 위한 설계의 최적 조건을 제시하였다. 제시된 최적 조건에 따라 자기트랜지스터를 CMOS 표준 공정에 의하여 제작하고 전자기적 특성을 측정하였다. 소자의 감도는 활성 영역의 크기보다는 길이(L)에 대한 폭(W)의 비 W/L에 의존하며, W/L = 1 일 때 최대 감도를 나타내었다. 제작된 소자의 상대 감도는 2.53 %/T 이었다.
Keywords