Fabrication and characterization of CdS photoconductive cell by the print/sintering method

인쇄/소결 방법에 의한 CdS 광전도 셀 제작과 특성

We fabricated a photoconductive cell made of polycrystalline CdS thick film which has high photo-sensitivity using a print/sintering method. The resultant grain size is about $4\;{\mu}m$. When $CuCl_2$ of 0.06 to 0.12 mg is added, the sensitivity and the ratio of photocurrent to dark current are 0.8 and $10^5$, respectively. The response wavelength is 511 nm. The rise and decay response times are 50 and 20 ms, respectively. In addition, the maximum power dissipation is beyond 80mW. We noticed that the addition of $CuCl_2$ between 0.06 and 0.12 mg to 1g of CdS results in a reliable formation of photoconductive sensor.

인쇄/소결 방법으로 광감도가 매우 큰 CdS다결정 후막을 만들고 이를 이용하여 광전도 셀을 제작하였다. 낱알 크기는 $4\;{\mu}m$ 정도였다. 광전도 셀은 불순물로 첨가한 $CuCl_2$ 양이 0.06 - 0.12 mg 정도이면 감도와 광전류와 암전류 비율이 각각 0.8과 $10^5$ 이상을 나타내었고 응답파장은 511 nm 였다. 또한 주파수 특성을 나타내는 응답시간은 오름시간과 감쇠시간이 각각 50과 20 ms 정도 이였으며 최대허용 소비전력은 80 mW 이상이었다. 이상과 같이 인쇄/소결 방법으로 제작된 광전도 셀은 CdS 1g당 $CuCl_2$ 양이 0.06-0.12 mg 정도 주입되면 센서로서 좋은 특성을 나타내었다.