Studies on Molding Conditions and Physical Properties of EMC(Epoxy Molding Compounds) fiiled with Crystalline SiO₂ for Microelectronic Encapsulation

결정성 SiO₂ 충진 EMC(Epoxy Molding Compounds)봉지재의 성형조건 및 물성에 관한 연구

Due to the trends of faster and denser circuit design, dielectric properties of packaging materials for semiconductor will give a greater influence on performance and reliability. Also as chip becomes more densified, thermal dissipation becomes a critical reliability issue. Consequently, four important properties for manufacturing semiconductor packaging materials are low values of dielectric constant, high values of thermal conductivity, relatively low values of thermal expansion coefficient and low cost. Thus, in this study, to achieve increased performance of EMC, crystalline silica was selected as the filler for epoxy matrix. As a result, when the volume percent of crystal silica was 60~70%, good properties as packaging materials for semiconductor were achieved. In addition, overall molding condition of EMC in this experiment was established.

회로 설계의 고속화, 고성능화 경향으로 인해 반도체 봉지제의 유전특성은 회로실행과 신뢰성에 지대한 영향을 미친다. 또한 칩이 고집적화됨에 따라 신뢰성에 영향을 주는 방열성이 주요 인자가 되고 있다 결과적으로 선진적인 반도체 봉지재 제조에 있어 4가지 주요한 특성은 낮은 유전상수값, 높은 열전도도, 상대적으로 낮은 열팽창계수, 낮은 제조원가 등이다. 본 연구에서는 에폭시 봉지제의 고성능화를 위해 에폭시 모제의 충진제로서 결정성 실리카를 사용하였다 그 결과 실리카 부피량 60~70%일 때, 보다 뛰어난 물성을 갖는 반도체 봉지재를 제조할 수 있음을 확인하였다. 또한 이 실험 과정에서 반도체 봉지제의 성형조건도 설정할 수 있었다.