한국결정성장학회지 (Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology)
- 제7권1호
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- Pages.70-75
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- 1997
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
전자빔 증착법에 의한 CdSe/GaAs epilayer의 성장과 그 전기-광학적 특성
Growth and electro-optical characteristics of CdSe/GaAs epilayers prepared by electron beam epitaxy
- 양동익 (전북대학교 반도체물성연구센터) ;
- 신영진 (전북대학교 반도체물성연구센터) ;
- 이춘호 (전북대학교 반도체물성연구센터) ;
- 최용대 (목원대학교 물리학과) ;
- 유평렬 (순천대학교 물리학과)
- Yang, D.I. (Semiconductor Physics Research Center, Jeonbuk National University) ;
- Shin, Y.J. (Semiconductor Physics Research Center, Jeonbuk National University) ;
- Lee, C.H. (Semiconductor Physics Research Center, Jeonbuk National University) ;
- Choi, Y.D. (Department of Physics, Mokwon University) ;
- Yu, P.R. (Department of Physics, Suncheon National University)
- 발행 : 1997.02.01
초록
Electron beam 증착법을 보완하여 GaAs(100)기판위에 cubic(zinc blende) CdSe 에피충을 성장시켜 그의 특성을 조사하였다 .. CdSe 에피충의 격자 상수는 6.077 A였으며, 배향 성은 ECP 패번에 의하여 확인되고 결정성은 DCXR curve로 관찰하였다. 상온에서 측정된 H Hall data로는 에피충의 운반자 농도와 이통도는 각각 1018cm-3, 102cm2N' see 정도임을 알았 고 30 K에서 측정한 PC spectra peak는 cubic CdSe의 free exciton에 기인된 것으로 1.746 e eV에서 예리하게 나타냐고 있음을 보여주고 있다.
An improved technique based upon an electron beam evaporation system has been developed to prepare cubic thin films In crystalline semiconductors. Zinc blonde CdSe epilayers were grown on GaAs(100) substrate by an e-beam evaporation method. The lattice parameter obtained from (400) reflection is
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