한국표면공학회지 (Journal of the Korean institute of surface engineering)
- 제30권2호
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- Pages.111-120
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- 1997
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- 1225-8024(pISSN)
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- 2288-8403(eISSN)
Cl$_2$ 플라즈마를 인가한 CuCl$_{x}$ 성장 및 PEt$_3$ 를 이용한 CuCl$_{x}$ 의 식각에 대한 연구
A study of CuCl$_{x}$ growth mechanism and etching with Cl$_2$ plasma and PEt$_3$ (Tri-ethyl phospine)
초록
The growth kinetion of
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