초록
Si(111)7×7표면에 In을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 상(pattern)과 RHEED상의 회절반점 (spot)강도 변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판온도를 400℃로 유지하면서 In을 증착 시킬 때 증착량이 약 0.1, 0.3, 0.5ML에서 각각 {{{{ SQRT { 3} }}× {{{{ SQRT { 3} }}, {{{{ SQRT { 31} }}× {{{{ SQRT { 31} }}, 4×1구조가 관찰 시작하였다. 기판온도 300°에서는 증착량이 약 0.2ML에서부터 4×1구조가 나타나고 0.8ML이상에서부터는 4×1+{{{{ SQRT { 3} }}× {{{{ SQRT { 3} 가 관찰되기 시작하였다. Si(111)-{{{{ SQRT { 3} }}× {{{{ SQRT { 3} 기판온도를 실온으로 유지하면서 In를 착시킬 때 증착량이 0.25, 0.7ML에서 각각 2×2, {{{{ SQRT { 7} }}× {{{{ SQRT { 3} 기 시작하였다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-{{{{ SQRT { 7} }}× {{{{ SQRT { 3} n원자의 이탈 과정을 조사한 결과 이탈 에너지는 2.84eV로 조사되었다.
The change of surface structures for the deposition of indium on clean Si(111) surface is investigated as a function of substrate temperature and surface coverage by RHEED. We find that at substrate temperature of $400^{\circ}C$, $\sqrt{3}\times\sqrt{3},\sqrt{31}\times\sqrt{31},4\times 1$ structures are formed at indium coverages of 0.2, 0.3 and 0.5 ML, respectively. We also find that for the substrate temperature of $300^{\circ}C$, 4$\times$1 structure starts to be forme by 0.2 ML of indium, and the mixed structure of 4$\times$1 and $\sqrt{3}\times\sqrt{3}$is observed for more than 1.0 ML. On the other hand, if the indium is deposited on the Si(111)-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ structure at room temperature, $2\times2\; and\;\sqrt{7}\times\sqrt{3}$ structures are found to form at 0.2 and 0.4 ML, respectovely. From the desorption process, the desorption energy of indium in Si $\sqrt{7}\times\sqrt{3}$ structure is observed to be 2.84 eV.
