Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Growth and Interdiffusion Behavior of Copper MOCVD Films on Au/Si(100) Substrates

Au/Si(100)기판상에서 Cu-MOCVD 박막의 성장과 상호확산거동

  • 김정열 (위덕대학교 전자재료공학과) ;
  • 이영기 (위덕대학교 전자재료공학과) ;
  • 박동구 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 조범래 (계명대학교 재료공학과)
  • Published : 1997.08.01
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Abstract

Si(100)기판상에 여러 가지 두께의 Au박막을 선행 증착(pre-deposition)한 후, 각각의 Au박막상에서의 Cu-MOCVD박막의 초기 핵생성과 성장 기구를 고찰하였고, 또한 각 계면에서의 상호 확산 거동을 여러가지의 분석 장비를 이용하여 조사하였다. 30$\AA$두께의 Au 박막은 수소 가스 분위기중의 열처리에 의하여 평탄한 표면 상태에서 불연속의 응집된 도상(island)형태로 변화(Si 전체 표면중 약 20%)하였다. 반면에 1500$\AA$두께의 Au박막상에서 성장한 Cu-MOCVD박막은 두께 증가에 따른 미세구조의 차이, 즉 Cu박막중으로 Au원자의 확산여부는 Au박막에 유기되는 열응력(thermal stress)을 완화하는 과정에서 일어난 결과이다.

Keywords

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