Abstract
Anti-reflective and anti-static double layered films were prepared on the VDT panel by sol-gel spin-coating method. Their electrical, opticla, and mechanical properties were investigated. The outer SiO2 film with low re-fractive index was coated over the inner ATO(Antimony-doped Tin Oxide)-SiO2 film which was prepared by mixing ATO sol with SiO2 at molar ratio of 68:32 to satisfy the interference condition of double layers. The heat treatment was conducted at 45$0^{\circ}C$ for 30 min where residual organics were completely removed. The sheet resistance of ATO single layer showed the minimum value of 6$\times$107$\Omega$/$\square$ at 3 mol% addition of Sb and that of SiO2/ATO-SiO2 increased slightly with increasing SiO2 mol% up to 30 mol%, and then increased steeply to the value of 3$\times$108$\Omega$/$\square$ at 32 mol%. The reflectance of double layered films was about 0.64% at the wavelength of 550nm and the transmittance increased about 3.20%. The hardness of double layered films was almost the same as that of uncoated VDT panel, 471.4kg.f/mm2.
졸-겔 스핀코팅법을 이용하여 VDT 기판에 반사방지 및 정전기방지 복층막을 코팅하고 코팅졸과 겔분말의 특성 및 코팅막의 전기적, 광학적, 기계적 특성을 조사하였다. 1층막은 복층막의 간섭조건을 만족시키는 굴절율을 얻기위해 투명 전도성 재료인 ATO(Antimony doped Tin Oxide) 졸과 SiO2 졸을 몰비 68:32로 혼합한 ATO-SiO2 복합졸을, 2층막에는 저굴절율의 SiO2 졸을 사용하였다. 각 코팅막을 45$0^{\circ}C$에서 30분간 열처리하였을 때 잔류 유기물은 완전히 제거되었다. ATO막의 표면저항은 3mol%의 Sb 첨가시 약 6$\times$107$\Omega$/$\square$로 최소를 나타내었고 SiO2 졸과의 혼합시 약 30mol% 까지는 표면저항이 완만히 증가하다가 그 이후에는 급격히 증가하는 경향을 나타내었으며, 간섭조건을 만족시키는 조성인 32mol%에서는 약 3$\times$108$\Omega$/$\square$를 나타내었다. 복층막의 반사율은 550nm의 기준파장에서 약 0.64%를 나타내었으며 광투과율은 약 3.20% 증가하였다. 복층막의 미소경도는 약 471.4kg.f/mm2로 코팅하지 않은 VDT기판의 경도와 유사한 값을 나타내었다.
