마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제4권2호
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- Pages.71-78
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- 1997
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
InGaAsP 에피막의 도핑농도 및 미세조직구조가 photoluminescence 분산특성에 미치 는 영향
Effects of Doping Concentration and Microstructures on Photoluminescence Dispersion of InGaAsP Semiconductors
초록
본 논문에서는 InGaAsP 에피막에서 도핑 농도와 에피막의 미세조직구조가 photoluminescence (PL) 스펙트럼의 위치 및 형상에 어떤 영향을 미치는가를 연구하였고, 그 결과를 설명하기 위해 가능한 모델을 제시하였다. InGaAsP 에피막(발진파장 ~1.3
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