Abstract
In this study we report the effect of melt instability on the Liquid Phase Epitaxy. We made a new graphite boat of the structure relieving the instability of melt. It did not improve the uniformity of each layers but also reduced the thickness of growth layers and the deviation of the thickness over 1/2, 1/3 respectively. Moreover, we could get the growth layer of about 80$\AA$. With the point of melt stability in view we investigated the effect of InP seed used in two phase solution method. It is concluded that the quality of layers grown by the single crystal is superior to that by the poly crystal in two phase solution method.
본 연구에서는 InGaAsP/InP 액상결정성장에 있어서 성장용액의 불안정성이 성장에 미치는 영향을 조사하여 보았다. 성장용액의 불안정을 완화시킬 수 있는 구조의 흑연보트를 제작하여 성장을 행하여 본 결과 각층의 균일도를 향상시킬 뿐만 아니라 성장층간의 두께 편차를 동시에 줄일 수 있었으며, 성장두께와 두께편차를 각각 1/2, 1/3 이상 줄일 수 있었고, 최소 성장두께 80.angs. 이하의 결과를 얻었다. 그리고 성장용액의 안정도 측면에서 2상용액법에 사용되는 InP seed에 의한 영향을 조사한 결과, 단결정 InP 2상용액법의 경우가 다결정 InP에 비해 우수한 성장특성을 가짐을 확인할 수 있었다.