Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 6 Issue 6
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- Pages.451-457
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- 1997
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
$NO_{2}$ Sensing Properties of Oxide Semiconductor Thick Films
산화물 반도체형 후막 가스 센서의 이산화질소 감지 특성
- Kim, Seung-Ryeol (LG Corporate Institute of Technology, Devices and Materials Laboratory) ;
-
Yun, Dong Hyun
(LG Corporate Institute of Technology, Devices and Materials Laboratory) ;
- Hong, Hyung-Ki (LG Corporate Institute of Technology, Devices and Materials Laboratory) ;
- Kwon, Chul-Han (LG Corporate Institute of Technology, Devices and Materials Laboratory) ;
- Lee, Kyu-Chung (LG Corporate Institute of Technology, Devices and Materials Laboratory)
- 김승렬 (LG종합기술원, 소자재료연구소) ;
-
윤동현
(LG종합기술원, 소자재료연구소) ;
- 홍형기 (LG종합기술원, 소자재료연구소) ;
- 권철한 (LG종합기술원, 소자재료연구소) ;
- 이규정 (LG종합기술원, 소자재료연구소)
- Published : 1997.11.30
Abstract
The thick films of oxide semiconductors such as
산화물 반도체를 이용한 후막형 가스센서의 이산화질소에 대한 감지특성을 조사하였다. 기본 감지물질로는
Keywords